SIE882DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SIE882DF-T1-GE3 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 25V 60A 10POLARPAK |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $2.51 |
10+ | $2.254 |
100+ | $1.8116 |
500+ | $1.4884 |
1000+ | $1.2332 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 10-PolarPAK® (L) |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 10-PolarPAK® (L) |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6400 pF @ 12.5 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 60A (Tc) |
Grundproduktnummer | SIE882 |
SIE882DF-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SIE882DF-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 25V 60A POLARPAK
MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
MOSFET N-CH 25V 45A 10POLARPAK
MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
MOSFET N-CH 30V 45A POLARPAK
MOSFET N-CH 60V 60A 10POLARPAK
PROXIMITY SWITCH
MOSFET N-CH 25V 45A POLARPAK
MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK
MOSFET N-CH 40V 60A 10POLARPAK
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SIE882DF-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|